Medições em componentes eletrônicos parte 2
Dando continuidade ao artigo anterior “medições de componentes eletrônicos parte 1”, apresentarei agora a parte 2.
Na segunda parte desse artigo falarei sobre transistor da família BJT (Transistor de junção bipolar). Prometo ser breve e objetivo, deixando de lado toda teoria da física do semicondutor.
Componente de fundamental importância em quase todos os aparelhos eletrônicos atuais. Considerado sem dúvida alguma uma das invenções mais importantes do Século XX. Possui diversas aplicações, tais como “chaves digitais, reguladores de tensão/corrente, amplificação de sinais etc..”, elemento principal do circuito integrado (IC).
Um pouco da sua história…
Em 1946 a empresa Bell Labs forma um novo grupo para pesquisa de materiais de estado solido. Coordenados pelo pesquisador W.ShocKley, dois pesquisadores Bardeen e Brattain descobrem em 1947 o efeito transistor bipolar.
O primeiro transistor
•1936 – Grupo de estado sólido na Bell Labs
•1940 – R. Ohi, identifica Si tipo p e tipo n
•1940 – 1945, desfeito o grupo da Bell Labs
•1946 – Novo grupo na Bell – W. Shockley
•1947/Dez., Bardeen e Brattain descobrem o efeito transistor bipolar
Bardeen e Brattain no Laboratorio da Bell
Deixarei a história de lado e vamos ao que interessa, como disse anteriormente serei breve e objetivo, nosso proposito e passar ao leitor como medir e localizar um transistor BJT com defeito.
Transistor (transference resistor ou simplesmente resistor de transferência) é um componente bipolar constituído de uma pastilha monocristalina de material semicondutor, sendo atualmente o Silício o material mais utilizado para sua fabricação, com regiões dopadas com impurezas do tipo N e do tipo P (teoria do semicondutor, artigo publicado no blog) formando as estruturas abaixo:
Bipolares – são aqueles formados por três (3) regiões semicondutoras de polaridades alternadas existindo entre elas duas junções. As regiões recebem os nomes de emissor (E), Base (B), e coletor (C). Baseiam o seu funcionamento com alimentação de corrente na base.
Veja a simbologia dos transistores BJT:
De uma forma didática para entendimento, podemos representar como sendo dois diodos com polarização inversa.
Olhando o desenho acima e percebendo que ele se comporta fisicamente como dois diodos, fica fácil o entendimento para seu teste.
Através do teste de junções, executado com o multímetro na escala de semicondutor, pode-se verificar se o transistor está com as junções PN ou NP entre base–emissor e base–coletor interrompidas ou em curto circuito.
A polaridade apresentada nas pontas de prova das figuras que seguem corresponde a sua polaridade real (ponta de prova preta → – (sinal negativo); ponta de prova vermelha → + (sinal positivo).
Resultado das medições:
§ Leitura consistente de um lado 500 a 700 – BOM
§ Leitura consistente do lado inverso I (infinito) – BOM
§ Leitura deficiente aproximadamente 0 – RUIM
§ Leitura deficiente I (infinito) nos dois lados – RUIM
Até a próxima!
Prof. José Carlos.
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