Medições em componentes eletrônicos parte 4

Ola!

Depois de um tenebroso inverno, darei continuidade ao artigo sobre medições em componentes eletrônicos parte quatro, e dessa vez estudaremos o transistorMOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)”.

O transistor Mosfet é o componente semicondutor mais importante fabricado atualmente,  também o mais sensível a ESD,  conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo do Mosfet, de canal n ou de canal p, sendo o canal n o mais comum por apresentar menor perda e maior velocidade de comutação devido a mobilidade dos elétrons. O nome “efeito de campo” decorre do fato do mecanismo de controle do componente ser baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle (Gate/Porta).

Simbologia do MOSFETs:


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Tem como grande vantagem a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa tensão. O transistor Mosfet de potencia é o switch mais usado para baixa tensão (menos de 200 V). Pode ser encontrado em diversas fontes de alimentação, conversores DC/DC, controle de motor em baixa tensão e controles de potencias luminosas (backlight).
Quando usar MOSFETs:
 
  1. Frequências altas (acima de 50 kHz)
  2. Tensões muito baixas (< 500 V)
  3. Potências baixas (< 1 kW)

 

Screenshot_17                                                    Mosfet canal N
Medindo com o multímetro DIGITAL.

O teste desse componente e bem simples e pode ser feito pelo multímetro digital na escala de diodo e continuidade. Devido a sua característica de possuir um Gate isolado de Dreno e Source pelo oxido de silício, não deveremos encontrar condução entre Gate e Dreno e Gate e Source em nenhum dos lados (medido fora da placa), acontecendo condução indicara que o transistor esta danificado (curto).

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Se a leitura for feita diretamente na placa deveremos considerar o circuito associado em seus terminais, portanto o multímetro poderá marcar algum valor. O que não poderá acontecer e esse valor encontrado estar próximo de zero, isso indicaria um curto no componente.

Medindo com o multímetro ANALÓGICO.

Coloque a chave seletora do multímetro analógico na escala de 10K, e verifique se gate (G) conduz com algum dos terminais restantes dreno (D) e source (S). Se gate conduzir com algum dos terminais o transistor MOSFET esta em curto.

Observe que aplicando a ponta preta no gate, o MOSFET dispara (canal N). ou seja, passa a conduzir nos dois sentidos entre dreno e source. E aplicando a ponta vermelha no gate ele volta a sua condição inicial, ou seja, conduz só no sentido do diodo interno.

Prof. José Carlos

Prof. José Carlos

Professor e coordenador de cursos de tecnologia em eletrônica, criador e administrador do Site Canal da Eletrônica. Engenheiro com formação em eletrônica com mais de 30 anos de experiência dedicados em capacitar profissionais para atuar no mercado de trabalho.

Website: https://www.canaldaeletronica.com.br

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